聯華電子舉行南科Fab 12A廠區第五第六期動土典禮

聯華電子舉行南科Fab 12A廠區第五第六期動土典禮 
 

 

斥資6,00億聯電大擴產

作者： 記者涂志豪╱台南報導 | 中時電子報 – 2012年5月25日上午5:30

 

　聯電董事長洪嘉聰及執行長孫世偉昨（24）日率領聯電主管舉行南科12吋廠Fab12A廠第5及第6期廠房動土典禮。

 

工商時報【記者涂志豪╱台南報導】

聯電（2303）將啟動200億美元大擴產計畫！聯電昨（24）日舉行南科12吋廠Fab12A第5、第6期廠房動土典禮，投資金額達80億美元，加上規劃中的第7、第8期廠房擴建工程，4期工程合計總投資金額將上看200億美元（約新台幣6,000億元），預計未來6~8年內全部完工並進入量產，共可增加每月10萬片產能，製程技術將支援到最先進的14奈米。

 

聯電不斷擴增在台南科學園區的投資規模，除了堅定落實「深耕台灣，布局全球」的經營承諾，也將啟動聯電下一波高成長時代的來臨。

 

聯電昨日舉行的動土典禮，由董事長洪嘉聰親自主持。洪嘉聰表示，聯電樂觀看待半導體與晶圓專工產業的長期發展，為因應產業環境快速變化與掌握市場先機，聯電訂定以客戶導向晶圓專工解決方案做為經營策略，此一策略係由純晶圓專工模式與開放的供應鏈生態系統所組成。

 

洪嘉聰指出，聯電將依據客戶需求與所處供應鏈中的位置，適時且持續地投資，與客戶、供應鏈廠商間形成互補互利且共創三贏的長期夥伴關係。Fab12A廠區第1至4期預計資本支出將高達80億美元，第5及第6期預定再投入約80億美元，第7及第8期廠區也將陸續展開規劃，展現聯電永續經營的決心。

 

聯電執行長孫世偉表示，聯電在過去10年中，在台灣南科及新加坡打造兩座12吋廠，鞏固了聯電在晶圓代工市場地位，並自主研發出28奈米製程，下半年將導入量產，20奈米高介電金屬閘極（HKMG）的後閘極（Gate-Last）、後高介電（HK-Last）等製程技術，以及14奈米3D電晶體FinFET技術都研發順利，未來聯電Fab12A的第5到第8期擴建工程，將與客戶技術藍圖緊密配合，協助客戶順利導入新世代產品，並持續為聯電成長注入動能，進一步提升獲利能力及股東權益報酬。

 

聯電於1999年進駐南科建立台灣第1座12吋廠，已完成的4期廠房已導入量產，月產能達8萬片，第5、第6期廠房預計2013年下半年裝置，完工後可增加5萬片產能，第7、第8期廠房亦將隨後動工，屆時全廠區總月產能將達18萬片。以目前的規劃，聯電第5到第8期工程的投資金額將上看200億美元，是聯電有史以來最大的投資計畫。